三星全新microSD，憑借高性能和大容量助力移動計算和端側AI

三星推出其首款256GB SD Express microSD存儲卡，其傳輸速度為三星現有接口速度的4倍以上

三星1TB UHS-1 microSD存儲卡搭載其最新V-NAND技術，現已投入量產

深圳2024年2月28日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB^[1]SD Express^[2] microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s，此外，1TB^[3] UHS-1 microSD存儲卡現已進入量產階段。隨著新一代microSD存儲卡產品的推出，三星將著力打造差異化存儲解決方案，更好滿足未來移動計算和端側人工智能應用的需求。

"來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新micro SD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業(yè)部全球副總裁Hangu Sohn表示，"盡管存儲卡尺寸極小，但能夠帶來SSD（固態(tài)硬盤）級別的強大性能和超大容量，幫助用戶充分利用要求嚴格的現代和未來應用。"

三星首款SD Express microSD存儲卡，傳輸速度最高可達800MB/s

三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡，這也是與客戶成功合作開發(fā)定制產品的成果。

得益于三星的低功耗設計以及為實現產品優(yōu)良性能和可靠熱管理而專門優(yōu)化的固件技術，三星SD Express microSD儲存卡能夠以小巧外形尺寸提供與SSD相媲美的性能。傳統microSD存儲卡采用UHS-1接口，讀取速度上限為104MB/s，而SD Express系列產品的最大讀取速度可達985MB/s，但截至目前，SD Express microSD存儲卡尚未投入商用。                                                             

三星SD Express microSD存儲卡的順序讀取速度可達800MB/s，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍、傳統UHS-1接口存儲卡（最高200MB/s）的4倍以上，能夠在PC和移動設備等多種應用端得到更好的計算體驗。為確保SD Express microSD存儲卡性能穩(wěn)定、質量可靠，三星采用了動態(tài)散熱保護（Dynamic Thermal Guard）技術，即使長時間使用，也能確保存儲卡溫度始終處于理想水平。

1TB UHS-1 microSD存儲卡，搭載先進1Tb V-NAND技術

三星在全新1TB microSD存儲卡上堆疊了八層三星第8代1Tb V-NAND，實現了過去僅能應用于SSD的大容量封裝。全新1TB microSD存儲卡已通過業(yè)內測試，即使在極具挑戰(zhàn)性的環(huán)境中也能保持穩(wěn)定可靠。產品具備防水、耐極端溫度、防摔、防磨損、防X射線和防磁^[4]等六重防護特性。

推出時間                                                                

256GB SD Express microSD存儲卡將于今年內推出，1TB UHS-1 microSD存儲卡預計將于今年第三季度投入市場。