韓國首爾2021年6月9日 /美通社/ -- 今日，三星宣布開發(fā)新一代“8納米射頻（RF）工藝技術”，強化5G通信芯片的解決方案。
三星半導體韓國H3晶圓代工廠全景
這種先進的制造技術支持5G通信的多通道和多天線芯片設計，期待為5G通信提供“單芯片的解決方案（One Chip Solution）”。三星的8nm RF平臺擴展計劃，有望增強從Sub-6GHz到毫米波（mmWave）應用的5G半導體代工市場地位。
三星8nm RF是從已有28nm，14nm RF代工解決方案拓展的新一代工藝技術。自2017年至今，三星以高端智能手機為主，已生產(chǎn)了超過5億顆的RF 芯片，在RF芯片代工市場擁有了一席之地。
“通過技術創(chuàng)新和制造工藝的精益求精，我們推出了下一代無線通信的代工技術方案，”三星電子代工技術開發(fā)團隊負責人Hyung Jin Lee表示，“隨著5G毫米波的應用擴大，三星的8nm RF技術為客戶提供更好的解決方案，滿足客戶不斷提升的用戶體驗，在小的芯片上提供更長的電池使用時間，高質(zhì)量的通信信號?！?/p>
三星新一代RFeFET? 器件結構
RF芯片把接受的射頻信號轉(zhuǎn)換數(shù)字信號用于數(shù)字處理，把處理后的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為射頻信號用于發(fā)射。RF工藝技術中，模擬/RF器件性能和數(shù)字器件性能都非常重要。
隨著半導體工藝節(jié)點的縮微，數(shù)字電路在性能,功耗和面積上都有顯著改善，然而模擬/RF 模塊由于寄生特性難以縮微。由于線寬較窄，導致電阻增加，RF信號放大性能減弱，功耗增加，RF芯片整體性能下降。
為了克服模擬/RF電路在工藝縮微時的技術挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種名為“RFeFET?（RF extremeFET）”的獨特RF器件結構，新的結構只在8nm RF平臺上提供，新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。與此前的14nm工藝相比，三星“RFeFET?（RF extremeFET）”可以幫忙數(shù)字電路的縮微，同時提升模擬/RF性能，提供高性能的5G技術平臺。
工藝優(yōu)化包括增加電子遷移率，降低寄生參數(shù)。由于RFeFET?的性能的提升，射頻芯片中晶體管的總數(shù)可以減少，模擬電路的面積可以減少。
由于三星“RFeFET?（RF extremeFET）”的創(chuàng)新，與此前的14nm工藝相比，三星的8nm RF工藝可減少約35%的射頻芯片面積，且能效也有約35%的提升。
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