上海2015年12月10日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所股票代碼：981），中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，與円星科技(“M31 Technology Corporation”)，專業(yè)的IP開發(fā)商，今日共同宣布，中芯國際將采用円星科技差異化高速接口IP，針對固態(tài)硬盤(SSD)、通用快閃存儲器(UFS)與USB閃存盤，推出多樣化的存儲控制器應用IP解決方案。基于中芯國際從110nm到28nm的邏輯工藝技術(shù)，此存儲控制器應用平臺可協(xié)助客戶實現(xiàn)低功耗、高性能和小晶片面積的產(chǎn)品設計，同時推動中芯國際的工藝平臺實現(xiàn)更多差異化的應用。
針對固態(tài)硬盤(SSD)市場，中芯國際40nm低漏電工藝采用円星科技所開發(fā)的新一代PCIe 3.0物理層IP，此IP已與多家廠商的控制器搭配測試并符合PCI-SIG的規(guī)范，針對不同帶寬需求，提供1 lane, 2 lane以及4 lane的選擇，協(xié)助客戶快速開發(fā)出能夠支持PCle 3.0固態(tài)硬盤的芯片。此外，中芯國際預計將在28nm先進工藝采用PCIe 3.0物理層IP，提供客戶更快速度、更省功耗的解決方案。
由于通用快閃存儲器2.0(Universal Flash Storage；UFS 2.0將成為新一代內(nèi)嵌式存儲器的主流規(guī)格，中芯國際55nm LL工藝采用円星科技開發(fā)的MIPI M-PHY物理層IP，具備高帶寬能力與低功耗特性，已與多家廠商的控制器搭配測試并通過UFS 2.0的系統(tǒng)驗證。另中芯國際預計將在28nm HK工藝與40nm LL工藝采用円星科技的MIPI M-PHY物理層IP，除了可支持雙通道技術(shù)之外，更支持極端省電的休眠模式，尤其適合新一代的行動裝置使用。
在USB閃存控制器產(chǎn)品應用上，円星科技自行開發(fā)的BCK （Built-in-Clock；內(nèi)建頻率）技術(shù)，為行動裝置芯片提供無石英震蕩器(Crystal-less)的解決方案，已在中芯國際55nm和110nm工藝協(xié)助客戶導入量產(chǎn)。新一代的BCK技術(shù)除了支持傳統(tǒng)USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外，也支持32.768KHz的頻率輸入, 除了能擴大BCK技術(shù)至USB主機端的應用之外，其低功率消耗的特性，也滿足了物聯(lián)網(wǎng)應用的需求。
隨著 Type-C接口的普及，円星科技正在中芯國際28nm及40nm工藝上開發(fā)USB3.1/USB3.0 PHY IP，將原本需要外接的高速交換器 (High-speed switch)，內(nèi)建于PHY IP之中來支持無方向性的插拔，同時也支持不同VBUS組態(tài)的偵測，已成功導入客戶的產(chǎn)品設計。
中芯國際設計服務中心資深副總裁湯天申博士表示，“中芯國際在著重發(fā)展先進技術(shù)的同時，始終堅持特殊工藝及差異化產(chǎn)品的開發(fā)。在存儲控制器產(chǎn)品領域，中芯國際的邏輯工藝技術(shù)和IP已布局多年，現(xiàn)已發(fā)展成熟并進入量產(chǎn)，能夠為客戶提供差異化解決方案，滿足大數(shù)據(jù)存儲對高性能、低功耗存儲控制器產(chǎn)品的需求。円星科技是中芯國際的重要IP合作伙伴之一，有提供高速接口客戶多樣化解決方案的實力，未來我們期待雙方能夠進一步緊密合作，共創(chuàng)雙贏?！?/p>
円星科技董事長林孝平表示，“中芯國際在諸多先進工藝上已陸續(xù)采用円星科技經(jīng)技術(shù)驗證的IP，如 PCIe 3.0、MIPI M-PHY V3.0、USB3.0等產(chǎn)品，解決了當今主流存儲裝置各種芯片互連的需求，業(yè)者可集中心思在設計開發(fā)上，無需再耗費時間驗證IP。通過與中芯國際的合作，我們相信能夠以優(yōu)質(zhì)的差異化高速接口IP和專業(yè)的服務來支持全球客戶?！?/p>
關(guān)于中芯國際 (SMIC)
中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐交所代號：SMI，港交所股份代號：981），是世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠；在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠，一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發(fā)中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)設立營銷辦事處、提供客戶服務，同時在香港設立了代表處。詳細信息請參考中芯國際網(wǎng)站 www.smics.com。
安全港聲明
（根據(jù)1995私人有價證券訴訟改革法案）
本文件可能載有（除歷史資料外）依據(jù)美國一九九五年私人有價證券訴訟改革法案「安全港」條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃基于中芯國際對未來事件的現(xiàn)行假設、期望及預測。中芯國際使用「相信」、「預期」、「計劃」、「估計」、「預計」、「預測」及類似表述為該等前瞻性陳述之標識，但并非所有前瞻性陳述均包含上述字眼。該等前瞻性陳述乃反映中芯國際高級管理層根據(jù)較佳判斷作出的估計，存在重大已知及未知的風險、不確定性以及其它可能導致中芯國際實際業(yè)績、財務狀況或經(jīng)營結(jié)果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素，包括（但不限于）與半導體行業(yè)周期及市況有關(guān)風險、激烈競爭、中芯國際客戶能否及時接受晶圓產(chǎn)品、能否及時引進新技術(shù)、中芯國際量產(chǎn)新產(chǎn)品的能力、半導體代工服務供求情況、行業(yè)產(chǎn)能過剩、設備、零件及原材料短缺、制造產(chǎn)能供給、終端市場的金融情況是否穩(wěn)定和高科技巿場常見的知識產(chǎn)權(quán)訴訟。
除本文件所載的資料外，閣下亦應考慮本公司向證券交易委員會呈報的其他存檔所載的資料，包括本公司于二零一五年四月二十八日隨表格20-F向證券交易委員會呈報的年報，尤其是「風險因素」一節(jié)，以及本公司不時向證券交易委員會或香港聯(lián)交所呈報的其他文件（包括表格6-K）。其他未知或未能預測的因素亦可能會對本公司的未來業(yè)績、表現(xiàn)或成就造成重大不利影響。鑒于該等風險、不確定性、假設及因素，本文件所討論的前瞻性事件可能不會發(fā)生。閣下務請小心，不應不當依賴該等前瞻性陳述，有關(guān)前瞻性陳述僅就該日期所述者發(fā)表，倘并無注明日期，則就本文件刊發(fā)日期發(fā)表。
關(guān)于円星科技 (M31 Technology Corporation)
円星科技成立于2011年7月，營運總部位于臺灣新竹，是專業(yè)的硅智財(Silicon Intellectual Property, IP)開發(fā)商。円星科技擁有非常堅強的研發(fā)與服務團隊，具備硅智財、集成電路設計以及設計自動化領域的資深開發(fā)經(jīng)驗。主要產(chǎn)品包括高速接口IP設計，如USB、PCIe、MIPI、SATA等，以及基礎IP設計及定制，如Cell Library與Memory Compiler。円星科技的愿景是成為半導體產(chǎn)業(yè)較值得信賴的IP公司。更詳細資料請參考公司網(wǎng)頁www.m31tech.com。
中芯國際媒體聯(lián)絡：
中文媒體
唐穎
電話：+86-21-3861-0000轉(zhuǎn)10088
電郵：Jane_Tang@smics.com
英文媒體
張浩賢
電話：+86-21-3861-0000轉(zhuǎn)16812
電郵：Michael_Cheung@smics.com
M31 Technology媒體聯(lián)絡：
許嘉惠(Shirley Hsu)
電話：+886-3-5601866轉(zhuǎn)123
shirley@m31tech.com
