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中芯國際攜手各方成立“集成電路先導技術研究院” 產學研步入快車道

中芯國際集成電路制造有限公司(紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981)宣布,與武漢新芯、清華大學、北京大學、復旦大學、中科院微電子所合作成立“集成電路先導技術研究院”,攜手打造國內先進的集成電路工藝技術研發(fā)機構。

 

 

北京2014年5月16日電 /美通社/ -- 中國內地規(guī)模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業(yè) -- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981)今日宣布,與武漢新芯、清華大學、北京大學、復旦大學、中科院微電子所合作成立“集成電路先導技術研究院”,攜手打造國內先進的集成電路工藝技術研發(fā)機構。

 

隨著半導體工藝技術不斷推進,進入20納米節(jié)點后,技術的開發(fā)難度和投資都大幅增加,如果能在這些尖端技術節(jié)點上整合企業(yè)和科研機構的力量,將極大提高研發(fā)的效率和進度。“集成電路先導技術研究院”將致力于整合國內IC產業(yè)鏈研發(fā)資源,打造一個能聯(lián)動設備廠商、材料供應商、代工廠、設計企業(yè)及科研機構的公共平臺。這既是一個產、學、研、用相結合的技術創(chuàng)新平臺,又是一個為國產專用設備和材料的研發(fā)提供大生產條件的驗證平臺。

現(xiàn)階段,研究院將以20納米及以下的集成電路主流基礎工藝為研發(fā)重點,包括先進邏輯技術基本工藝、先進非易失性存儲器工藝技術、國產設備和材料的驗證、相關配套IP的研發(fā)與驗證等。后續(xù)隨著產業(yè)技術的發(fā)展和客戶的實際需求,將邀請設計、設備、材料公司及產業(yè)鏈上相關的企業(yè),以會員、項目合作等形式加入。依托于此平臺,研究院將加強與國際的交流合作,并推動自主知識產權體系的建立,加快專利與人才的培養(yǎng),從而提升中國集成電路產業(yè)自主創(chuàng)新的核心競爭力。

中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士在簽約儀式上表示:“該研究院是各方強強聯(lián)手,在探索建立以企業(yè)為主導、產學研共同參與的開放式的集成電路研發(fā)體制上的一大創(chuàng)舉。我們將借此整合企業(yè)與科研機構的力量,加速先進基礎工藝技術的研發(fā)進程,應對知識產權保護等業(yè)界共同面臨的問題,從而推動中國集成電路產業(yè)的快速發(fā)展?!?/p>

科技部副部長曹健林表示:“聯(lián)合是正確的方向,政府支持產學研有效的結合,聯(lián)合可以使研發(fā)針對市場和應用,聯(lián)合可以產生更強的研發(fā)機構將技術發(fā)展方面的國際合作推進得更加深入。希望今天是良好的開端,我國集成電路的技術發(fā)展能走得更快更好!”

企業(yè)簡介 

中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐交所代號:SMI,港交所股份代號:981),是世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是中國內地規(guī)模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠;在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠,一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發(fā)中;在天津建有一座200mm晶圓廠;在深圳正開發(fā)一個200mm晶圓廠項目。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)設立營銷辦事處、提供客戶服務,同時在香港設立了代表處。詳細信息請參考中芯國際網(wǎng)站 http://www.smics.com。

安全港聲明

(根據(jù)1995私人有價證券訴訟改革法案)

本文件可能載有(除歷史資料外)依據(jù)美國一九九五年私人有價證券訴訟改革法案「安全港」

條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃基于中芯國際對未來事件的現(xiàn)行假設、期望及預測。中芯國際使用「相信」、「預期」、「計劃」、「估計」、「預計」、「預測」及類似表述為該等前瞻性陳述之標識,但并非所有前瞻性陳述均包含上述字眼。該等前瞻性陳述乃反映中芯國際高級管理層根據(jù)較佳判斷作出的估計,存在重大已知及未知的風險、不確定性以及其它可能導致中芯國際實際業(yè)績、財務狀況或經營結果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素,包括(但不限于)與半導體行業(yè)周期及市況有關風險、激烈競爭、中芯國際客戶能否及時接受晶圓產品、能否及時引進新技術、中芯國際量產新產品的能力、半導體代工服務供求情況、行業(yè)產能過剩、設備、零件及原材料短缺、制造產能供給、終端市場的金融情況是否穩(wěn)定和高科技巿場常見的知識產權訴訟。

除本文件所載的資料外,閣下亦應考慮本公司向證券交易委員會呈報的其他存檔所載的資料,包括本公司于二零一四年四月十四日隨表格20-F向證券交易委員會呈報的年報,尤其是「風險因素」一節(jié),以及本公司不時向證券交易委員會或香港聯(lián)交所呈報的其他文件(包括表格6-K )。其他未知或未能預測的因素亦可能會對本公司的未來業(yè)績、表現(xiàn)或成就造成重大不利影響。鑒于該等風險、不確定性、假設及因素,本文件所討論的前瞻性事件可能不會發(fā)生。閣下務請小心,不應不當依賴該等前瞻性陳述,有關前瞻性陳述僅就該日期所述者發(fā)表,倘并無注明日期,則就本文件刊發(fā)日期發(fā)表。

 

 

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消息來源:Semiconductor Manufacturing International Corporation
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