三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

-  三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展

中國(guó)深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。

三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。"

AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算、圖形首席技術(shù)官Joe Macri表示："創(chuàng)新往往少不了與行業(yè)伙伴的密切合作，來(lái)拓寬技術(shù)的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作，特別是推出在Zen平臺(tái)上優(yōu)化和驗(yàn)證的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。"

這一技術(shù)突破是通過(guò)使用一種新的高介電（high-k）材料來(lái)增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計(jì)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的。結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。

基于DDR5最新標(biāo)準(zhǔn)，三星12nm級(jí)DRAM將解鎖高達(dá)7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB的超高清（UHD）電影。

新款DRAM同時(shí)擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級(jí)DRAM的功耗降低約23%，對(duì)于更多追求環(huán)保經(jīng)營(yíng)的全球IT企業(yè)來(lái)說(shuō)，這將會(huì)是值得考慮的優(yōu)選解決方案。

隨著2023年新款DRAM量產(chǎn)，三星計(jì)劃將這一基于先進(jìn)12nm級(jí)工藝技術(shù)的DRAM產(chǎn)品擴(kuò)展到更廣泛的市場(chǎng)領(lǐng)域，同時(shí)繼續(xù)與行業(yè)伙伴合作，推動(dòng)下一代計(jì)算的快速發(fā)展。