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Fujitsu推出12Mbit ReRAM存儲(chǔ)密度居同系列之首

日本橫濱2022年3月16日 /美通社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供評(píng)估樣品。

鏈接:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/reram/spi-12m-mb85as12mt.html

這款新產(chǎn)品是一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器,具有12Mbit的大存儲(chǔ)密度,封裝尺寸非常小,約為2mm x 3mm。讀取電流也極低,讀取操作期間平均為0.15mA。因此,將MB85AS12MT安裝在頻繁進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取操作的電池供電設(shè)備中,可以最大限度地減少電池消耗。

該產(chǎn)品具有封裝尺寸小和讀取電流小的特點(diǎn),非常適合用于助聽(tīng)器和智能手表等可穿戴設(shè)備。

圖1:MB85AS12MT封裝(頂部和底部)
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI1fl_q04dZo1R.jpg

圖2:ReRAM使用實(shí)例
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MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的ReRAM產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度是現(xiàn)有8Mbit ReRAM的1.5倍,但二者封裝尺寸都是WL-CSP(晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)且引腳分配也一樣。新產(chǎn)品可在小封裝尺寸中存儲(chǔ)大約90頁(yè)報(bào)紙的字符數(shù)據(jù)。

MB85AS12MT使用的WL-CSP與經(jīng)常用于具有串行外設(shè)接口(SPI)的存儲(chǔ)器件的8針SOP相比,可以節(jié)省約80%的安裝面積。

圖3:安裝面積比較
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI3fl_35lI5L7E.jpg

憑借上述功能,這款ReRAM產(chǎn)品可以解決開(kāi)發(fā)可穿戴設(shè)備時(shí)使用閃存或EEPROM所產(chǎn)生的以下問(wèn)題。

圖4:客戶問(wèn)題和解決方案:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI2fl_Vt1u8m8L.jpg

Fujitsu Semiconductor Memory Solution將繼續(xù)開(kāi)發(fā)各種低功耗存儲(chǔ)器產(chǎn)品,以滿足客戶的要求。

消息來(lái)源:Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
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