發(fā)布針對12LP FinFET工藝的廣泛DesignWare IP組合，新思科技與GLOBALFOUNDRIES持續(xù)合作

高質量DesignWare接口和模擬IP經過優(yōu)化，可在人工智能、云計算和移動芯片中實現高性能和低功耗

加州山景城2019年6月27日 重點：

• 針對GLOBALFOUNDRIES 12LP FinFET工藝的DesignWare IP組合包括多協議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉換器
• 新思科技DesignWare IP經過優(yōu)化，可在人工智能、高端智能手機和網絡基礎設施等計算密集型應用中實現高性能和低延遲
• 兩家公司經過長期合作，已成功開發(fā)出從180納米到12納米的DesignWare IP

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作，針對GF的12納米領先性能(12LP) FinFET工藝技術，開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare^® IP組合，包括多協議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express^® 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉換器。新思科技基于GF 12LP工藝的DesignWare IP使設計人員能夠借助GF的12LP技術，在其人工智能(AI)、云計算、移動和消費片上系統(SoC)中實現最新的接口和模擬IP解決方案。與前幾代FinFET相比，12LP技術在邏輯密度上提高了10%，性能提高了15%以上?；趦杉夜鹃L期伙伴關系，雙方已聯手開發(fā)出針對GF從180納米到12納米工藝的DesignWare IP。

GF生態(tài)系統副總裁Mark Ireland表示：“為了滿足對差異化、功能豐富的FinFET產品日益增長的需求，我們正在與新思科技合作，在GF的工藝中提供高質量的IP，使設計人員能夠將差異化產品推向廣泛的細分市場。我們的12LP工藝與3D FinFET晶體管技術和新思科技高性能DesignWare IP的結合，使我們的共同用戶能夠加速實現量產。”

新思科技IP營銷副總裁John Koeter表示：“作為接口IP的領先供應商，新思科技繼續(xù)與GF等主要代工廠合作，提供面向最新FinFET工藝技術的DesignWare IP解決方案。通過新思科技針對GF 12LP工藝的DesignWare IP組合，設計人員能夠有效地將必要的功能整合進復雜的芯片中，同時滿足其移動和高端計算應用的帶寬和功耗要求。”

上市

DesignWare多協議25G PHY和 ADC/DAC轉換器IP解決方案現已上市。DesignWare USB 3.0和2.0、PCI Express 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY和SD-eMMC IP解決方案正在開發(fā)中，計劃于2019年下半年上市。