新竹2016年8月3日電 /美通社/ -- 聯(lián)華電子（UMC，TWSE: 2303）與 ASIC 設(shè)計(jì)服務(wù)暨 IP 研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日共同發(fā)表智原科技于聯(lián)電28奈米 HPCU 工藝的可編程12.5Gbps SerDes PHY IP 方案。此次智原成功推出的 SerDes PHY，為聯(lián)電28奈米 High-K / Metal Gate 后閘極技術(shù)工藝平臺(tái)中一系列高速 I/O 解決方案的第一步。
藉由采用涵蓋1.25Gbps 到12.5Gbps 的可編程架構(gòu)技術(shù)，此 SerDes PHY 能夠輕易支持10G/1G xPON 被動(dòng)光纖網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備。結(jié)合不同的 PCS 物理編碼子層電路，便可以支持 SGMII、XAUI、QSGMII、USB3.1、PCIe 3.0、NVM Express、SATA 3等接口標(biāo)準(zhǔn)。透過(guò)智原 SerDes PHY 的高度整合彈性，客戶能夠在28 HPCU 平臺(tái)縮短 SoC 設(shè)計(jì)周期，且滿足從商用等級(jí)高效能配備到穿戴裝置低功耗的應(yīng)用需求。
智原科技營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)林世欽表示：“隨著高階工藝的演進(jìn)，系統(tǒng)單芯片（SoC）的整合復(fù)雜度不斷地提升，為了支持低功耗的各種高速接口傳輸標(biāo)準(zhǔn)，高速 SerDes 組件成為影響 SoC 系統(tǒng)效能的關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)技術(shù)。28奈米 High-K / Metal Gate 工藝為主流的先進(jìn)工藝技術(shù)，聯(lián)電28 HPCU 展現(xiàn)其技術(shù)卓越的效能表現(xiàn)。包含此次發(fā)表的12.5G SerDes，智原有信心能結(jié)合聯(lián)電28 HPCU 工藝的優(yōu)勢(shì)，為客戶帶來(lái)更多高性價(jià)比的高速 I/O 解決方案。”
聯(lián)電硅智財(cái)研發(fā)暨設(shè)計(jì)支持處的簡(jiǎn)山杰資深副總經(jīng)理也表示：“智原是聯(lián)電長(zhǎng)期合作的 IP 供貨商，能夠充分掌握聯(lián)電的工藝特性，于現(xiàn)有的各工藝平臺(tái)上提供了相當(dāng)多的硅驗(yàn)證 IP。我們很高興將智原的可編程 SerDes IP 納入28 HPCU 平臺(tái)資源，幫助客戶擴(kuò)展更高階的產(chǎn)品市場(chǎng)，期望與智原持續(xù)并肩合作，研發(fā)更多具發(fā)展?jié)摿Φ?SerDes 解決方案。”
關(guān)于智原科技
智原科技（Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035）為專用芯片（ASIC）設(shè)計(jì)服務(wù)暨知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）研發(fā)銷售領(lǐng)導(dǎo)廠商，總公司位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，并于美國(guó)、日本、歐洲與中國(guó)大陸設(shè)有研發(fā)、營(yíng)銷據(jù)點(diǎn)。智原科技主要提供知識(shí)產(chǎn)權(quán)及專用芯片設(shè)計(jì)方案等服務(wù)項(xiàng)目。重要的 IP 產(chǎn)品包括：I/O、Cell Library、Memory Compiler、ARM-compliant CPUs、DDR 2/3/4、低功耗DDR 1/2/3、MIPI、V-by-One、MPEG4、H.264、USB 3.X、10/100/1000 Ethernet、Serial ATA、PCI Express、以及可編程 SerDes 等數(shù)百個(gè)外圍數(shù)字及混合訊號(hào) IP。更多信息請(qǐng)瀏覽智原科技網(wǎng)站：www.faraday-tech.com
關(guān)于聯(lián)華電子
聯(lián)華電子身為半導(dǎo)體晶圓專工業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者，提供先進(jìn)工藝與晶圓制造服務(wù)，為 IC 產(chǎn)業(yè)各項(xiàng)主要應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片。聯(lián)電完整的解決方案能讓芯片設(shè)計(jì)公司利用尖端工藝的優(yōu)勢(shì)，包括28奈米 Poly-SiON 技術(shù)、High-K/Metal Gate 后閘極技術(shù)、混合信號(hào)／RFCMOS 技術(shù)，以及其他涵蓋廣泛的特殊工藝。聯(lián)電現(xiàn)共有十座晶圓廠，其中包含位于臺(tái)灣的 Fab 12A與新加坡的 Fab 12i等兩座12吋廠。Fab 12A廠第一至四期目前生產(chǎn)最先進(jìn)至28奈米的客戶產(chǎn)品，第五、六期已興建完成，第七、八期則已在規(guī)劃當(dāng)中。聯(lián)電在全球約有超過(guò)15,000名員工，在臺(tái)灣、日本、韓國(guó)、中國(guó)、新加坡、歐洲及美國(guó)均設(shè)有服務(wù)據(jù)點(diǎn)，以滿足全球客戶的需求。聯(lián)華電子官網(wǎng)請(qǐng)見：www.umc.com。
