中國(guó)武漢2015年5月11日電 /美通社/ -- 武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC），一家迅速發(fā)展的300MM集成電路制造商，今日宣布其3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，第一個(gè)具有9層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)測(cè)試芯片通過存儲(chǔ)器功能的電學(xué)驗(yàn)證。
2014年年底，武漢新芯公司與存儲(chǔ)器領(lǐng)域的世界級(jí)研發(fā)團(tuán)隊(duì)Cypress (原Spansion)組建了聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開始了3D NAND項(xiàng)目的研發(fā)工作。通過各方團(tuán)隊(duì)的并肩合作和傾力攻堅(jiān)，該項(xiàng)目正按照原計(jì)劃高效地向前推進(jìn)，半年時(shí)間內(nèi)，在工藝制程開發(fā)及測(cè)試驗(yàn)證上取得了階段性的成功。
“憑借研發(fā)團(tuán)隊(duì)強(qiáng)大的技術(shù)能力和高效的執(zhí)行力，我相信3D NAND項(xiàng)目的后續(xù)研發(fā)及量產(chǎn)工作將繼續(xù)順利地進(jìn)行。”武漢新芯執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧博士表示，“此次取得重大進(jìn)展，表明我們開始掌握世界前沿科技領(lǐng)域的核心技術(shù)，并逐漸建立完全自主可控的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，邁入了國(guó)際3D NAND技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)行列。我們有信心將自主研發(fā)的3D NAND產(chǎn)品按時(shí)推向市場(chǎng)。”
武漢新芯在研發(fā)團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新力與執(zhí)行力得益于長(zhǎng)期與中科院微電子研究所展開緊密的合作。在3D NAND項(xiàng)目上，雙方采用了創(chuàng)新的合作模式， 即將雙方的專家在研發(fā)項(xiàng)目與人力資源的管理上，在企業(yè)的平臺(tái)上合為一體。這一模式將中科院微電子所深厚的理論背景與武漢新芯豐富的制造和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)有機(jī)地相結(jié)合，不僅增強(qiáng)了國(guó)際合作中的中方團(tuán)隊(duì)的實(shí)力，為研究成果共享奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，也為國(guó)內(nèi)推廣“產(chǎn)學(xué)研用”相結(jié)合，提供了方法科學(xué)且可行的樣板。
