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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

* 憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長 * 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 * 300 mm GaN的成...

2024-09-12 21:44 6785