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三星半導體分享內存墻限制的創(chuàng)新技術

2023-08-10 16:36

三星電子副總裁,半導體事業(yè)軟件開發(fā)團隊負責人張實完(Silwan Chang)發(fā)表主題演講

 

在第五屆OCP China Day 2023峰會上,三星半導體揭示了應對內存墻限制的創(chuàng)新技術解決方案,展現(xiàn)了其開放協(xié)作的業(yè)務戰(zhàn)略。在主題演講中,三星電子副總裁張實完強調了內存技術發(fā)展面臨的挑戰(zhàn),提出了引入主動存儲和以數(shù)據(jù)為中心的計算技術作為應對之道。

 

三星半導體介紹了面向人工智能和機器學習的創(chuàng)新技術,以有效突破內存墻限制。其中,高帶寬存儲"HBM3 Icebolt"在高性能計算領域優(yōu)化,為處理器提供高速性能和大容量內存,推動數(shù)據(jù)處理能力。此外,"CXL存儲擴展器"和"存儲器-語義固態(tài)硬盤"在內存容量和能效方面提供了突破性的解決方案,為千兆級大容量存儲奠定了基礎。

 

三星半導體強調開放創(chuàng)新是應對技術挑戰(zhàn)的有效途徑。他們將在存儲器研究中心內建立OCP體驗中心,與合作伙伴、OCP成員和學術界共同解決技術難題,推動開源開發(fā)和技術創(chuàng)新。此外,三星以生命周期評估(LCA)流程來計算產(chǎn)品的碳排放量,為實現(xiàn)2050年碳中和目標貢獻力量,并加入IMEC的可持續(xù)半導體技術和系統(tǒng)計劃,致力于保護環(huán)境和可持續(xù)發(fā)展。(美通社頭條)