英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）正在通過(guò)在寬帶隙（SiC和GaN）半導(dǎo)體領(lǐng)域增加重要的生產(chǎn)能力，以加強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先地位。公司投資超過(guò)20億歐元，在其位于馬來(lái)西亞居林的工廠建造第三個(gè)模塊。建造完成后，新模塊將以碳化硅和氮化鎵為基礎(chǔ)的產(chǎn)品創(chuàng)造20億歐元的額外年收入。施工將于6月開(kāi)始，第一批晶圓將在2024年下半年下線。根據(jù)公司的長(zhǎng)期制造戰(zhàn)略，此次擴(kuò)建將受益于居林200毫米制造廠已經(jīng)取得的良好規(guī)模經(jīng)濟(jì)。它將補(bǔ)充英飛凌在奧地利維拉赫和德國(guó)德累斯頓的300毫米生產(chǎn)基地在硅方面的領(lǐng)先地位。（美通社,2022年2月17日德國(guó)慕尼黑和馬來(lái)西亞居林）
