中國化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。
本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET，與傳統(tǒng)的硅基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化硅材料擁有“更高、更快、更強(qiáng)”的特性 -- 更高的耐壓和耐熱、更快的開關(guān)頻率，更低的開關(guān)損耗。優(yōu)異的高溫和高壓特性使得碳化硅MOSFET在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其是高壓應(yīng)用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統(tǒng)朝著小型化，輕量化，集成化的方向發(fā)展。這對“寸土寸金”的電源系統(tǒng)來說至關(guān)重要，比如新能源車載充電器OBC、服務(wù)器電源等。
從碳化硅肖特基二極管到MOSFET，三安集成在3年時間內(nèi)便完成了碳化硅器件產(chǎn)品線布局。在保證器件性能的前提下，提供高質(zhì)量高可靠性的碳化硅產(chǎn)品。首款工業(yè)級碳化硅MOSFET采用平面型設(shè)計，具備優(yōu)異的體二極管能力，高溫直流特性，以及優(yōu)良的閾值電壓穩(wěn)定性。
目前行業(yè)內(nèi)碳化硅MOSFET缺貨聲音不斷，三安集成加速碳化硅器件產(chǎn)能擴(kuò)張。今年7月在長沙高新區(qū)開工建設(shè)的湖南三安碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)，計劃總投資160億元，占地1000畝。目前項目一期工程建筑主體已拔地而起，計劃將于2021年6月開始試產(chǎn)。不到1年的時間，在茅草荒地上建立一個全面涵蓋碳化硅晶體生長、襯底、外延、晶圓制造和封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化制造基地，用“三安速度”表明其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的決心。
（美通社,2020年12月3日廈門）
