江波龍電子嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
FORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的10nm級(jí)最新版本8Gb顆粒，該顆粒已通過(guò)江波龍電子EVT完整的顆粒級(jí)測(cè)試。
在主頻方面，F(xiàn)ORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的頻率為2666MHz，綜合對(duì)比已達(dá)到國(guó)際一線水平。在設(shè)計(jì)架構(gòu)上，均采用8Gb顆粒，速度和穩(wěn)定性均有了很大的提升。
2019年9月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4。目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其 10G1 技術(shù)來(lái)制造8Gb DDR4 存儲(chǔ)器芯片，經(jīng)過(guò)多次迭代和優(yōu)化，其工藝已進(jìn)入國(guó)際化主流水平，其技術(shù)突破和自主制造已達(dá)到行業(yè)一流。
（美通社,2020年11月23日深圳）
