近日，英特爾非易失性存儲方案事業(yè)部宣布基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾® QLC 3D NAND固態(tài)盤（SSD）已達1000萬個。此項生產(chǎn)始于2018年底，這一新的里程碑也確立了QLC技術成為主流大容量硬盤技術的重要地位。
英特爾QLC 3D NAND主要應用于英特爾SSD 660p、英特爾® SSD 665p 和傲騰H10混合式固態(tài)盤存儲解決方案。英特爾QLC驅(qū)動器采用每單元4比特設計，并以64層和96層NAND配置存儲數(shù)據(jù)。英特爾在過去十年中一直致力于該技術的研發(fā)。2016年，英特爾工程師將已被充分驗證的浮柵（FG）技術調(diào)整為垂直方向，并將其集成在環(huán)柵結構中，進而獲得每裸片存儲384 Gb數(shù)據(jù)的3D TLC技術。2018年，具備64層，每單元4比特，可儲存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問世。2019年，英特爾升級到96層，進一步提升了整體存儲密度。QLC目前是英特爾整體存儲產(chǎn)品組合的一部分，這一組合包括客戶端和數(shù)據(jù)中心相關產(chǎn)品。（美通社,2020年2月13日北京）
